Ученые приблизились к созданию сверхбыстрого компьютера

Фазовая память позволит создавать компьютеры, которые будут мгновенно включаться и выключаться

Как сообщает CNews со ссылкой на журнал Science, ученые Кембриджского университета во главе со Стивеном Эллиотом достигли скорости записи информации в ячейку памяти PRAM (памяти на основе фазового состояния вещества) в 500 пикосекунд.

По словам ученых, благодаря новому прорыву фазовая память стала еще на шаг ближе к потребителю. Такая память сможет заменить современные технологии хранения данных и позволит создавать компьютеры, которые будут мгновенно включаться и выключаться.

До настоящего времени процесс кристаллизации в фазовой памяти, то есть записи битов данных, занимал свыше 1-10 нс. При этом материалы, способные кристаллизоваться быстрее, со временем, в условиях пониженных температур, достаточно быстро теряли выстроенную молекулярную структуру, и целостность данных нарушалась.

Разработкой фазовой памяти занимаются несколько компаний, и за последние годы в этой сфере было совершено несколько важных прорывов. Так, например, в середине 2011 г. корпорация IBM объявила о том, что ей удалось создать фазовую память с многоуровневой структурой - записать в одну ячейку два бита данных (по аналогии с современной флэш-памятью). Корпора ция Intel в 2008 г. приступила к пробным поставкам микросхем фазовой памяти, позже это сделали Numonyx и Samsung.